摘要: 碳化硅（SiC）作为一种优秀的半导体材料，具有高温稳定性、高载流子迁移率、高硬度等优异特性，在电子器件、光电器件、光伏等领域有着广泛的应用前景。其中，碳化硅单晶是碳化硅材料中最重要的形态之一，具有更高的电学性能和热导率。双面抛光的碳化硅晶圆能够提供更高的表面质量和更好的晶片性能，适用于制备高性能的半导体器件。在制备过程中，从6英寸到8英寸碳化硅晶圆的生长和加.........